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英飞凌IGBT命名规则

Simens/EUPEC IGBT 命名系统:


 Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=25°C的标称,敬请广大用户注意!

BSM100GB120DN2K

BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

BYM--------------二极管模块

        100-----------Tc=80°C时的额定电流

                 GA-------- 一单元模块

                 GB----------两单元模块(半桥模块)

                 GD----------六单元模块

                 GT----------三单元模块

                 GP----------七单元模块(功率集成模块)

                 GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

                 GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

                             120-------额定电压×10

                                        DL------低饱和压降

                                        DN2----高频型

                                        DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降

                                                K--------34mm封装

   BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC  IGBT命名系统来命名.

FF400R12KE3 
FZ------------ 一单元模块

FF--------------两单元模块(半桥模块)

FP--------------七单元模块(功率集成模块)

FD/DF------------斩波模块

F4---------------四单元模块

FS---------------六单元模块

DD---------------二极管模块

          400-------------Tc=80°C时的额定电流

                    R------------逆导型

                    S-------------快速二极管

                             12-----------额定电压×100

                                      KF---------高频型(主要在大模块上使用)

                                      KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)

                                      KS--------短拖尾高频型

                                      KE--------低饱和压降

                                      KT--------低饱和压降高频型

                                                3--------第3代芯片技术

                                                4--------第4代芯片技术(其中,KS4是第2.5代芯片技术)


二  Simens/EUPEC SCR 命名系统:


T 930 N 18 T M C 
T----------------------晶闸管

D----------------------二极管

        930-----------------平均电流

                  0-----------------标准陶瓷圆盘封装

                  1-----------------大功率圆盘

                  4-----------------厚19mm

                  6-----------------厚35mm

                  7-----------------厚08mm

                  8-----------------厚14mm

                  9-----------------厚26mm

                  3-----------------光触发型

                           N-----------------相控器件

                           F---------------居中门极型快速晶闸管

                           S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管

                                    18 ----------耐压×100

                                               B--------引线型

                                               C-----------------焊针型

                                               E-----------------平板式

                                               T-----------------圆盘式

                                                            M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)

                                                            C ----关断电压斜率(B、C、F等)

TT 430 N 22 K O F

TT ----------------------双晶闸管结构  

DD----------------------双二极管结构

TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管

            430-------------------平均电流

                       N------------------相控器件

                       F-------------------居中门极型快速晶闸管

                       S-------------------阴极交错式快速晶闸管

                               22--------------耐压×100

                                         K-----------模块

                                               O---------关断时间

                                                        F -----断电压斜率

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